STM/STS studium vlivu lokální struktury na elektronické vlastnosti bimetalických řetízků na křemíku
| Thesis title in Czech: | STM/STS studium vlivu lokální struktury na elektronické vlastnosti bimetalických řetízků na křemíku |
|---|---|
| Thesis title in English: | STS-STS study of influence of local structure on electronic properties of bimetallic chains on silicon |
| Academic year of topic announcement: | 2008/2009 |
| Thesis type: | diploma thesis |
| Thesis language: | |
| Department: | Department of Surface and Plasma Science (32-KFPP) |
| Supervisor: | doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc. |
| Author: |
| Guidelines |
| 1) Zvládnutí experimentálních technik STM a STS pro studium povrchových struktur a procesů v ultravakuových p odmínkách.
2) Příprava povrchu Si(001)2×1 a jeho analýza pomocí STM 3) Zvládnutí současné depozice dvou kovů (In-Sn, Al-Sn, Bi-Al ) a vytváření reprodukovatelných a stabilních struktur na povrchu Si(100) 2×1 4) Studium struktury objektů a vlivu morfologie na jejich lokální hustotu stavů pomocí STS. |
| References |
| 1. Venables J. A.: Surfaces and Thin Film Processes, Cambridge Univ. Press Cambridge 2000
2. Bai C.: Scanning Tunneling Microscopy and its Application, Springer Series in Surf.Sci.32, Berlin-Heidelberg, New York 1992 3. Methods of experimental physics: Scanning tunneling microscopy, ed. by J.A. Stroscio, W.J. Kaiser, Academic Press Ltd.,1993 |
| Preliminary scope of work |
| http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/dipl-abs.php?id=617
Řada kovů (In,Sn,Ga,Pb...) vytváří na zrekonstruovaném povrchu křemíku Si(100)2×1 lineární atomární řetízky, které narůstají kolmo na dimerové řady křemíkových atomů povrchové rekonstrukce. Řetízky jsou tvořeny kovovými dimery orientovanými ve směru řetízku Z hlediska možného využití nízkodimenzionálních struktur v aktivních prvcích je vedle struktury nesmírně důležitá i otázka jejich elektronických vlastností. Na tuto otázku může dát odpověď právě tunelová spektroskopie. Lze také očekávat, že vhodnou kombinací dvou nebo i více různých kovů budeme moci ovlivňovat elektronovou strukturu řetízků. Téma práce se opírá o dosud získané experimentální a teoretické výsledky ve skupině tenkých vrstev. Pro experimentální studium bude využita technika rastrovací tunelové mikroskopie (STM) pro zobrazení povrchu v reálném prostoru s lokálním atomárním rozlišením. Pomoci STM ovšem nemusíme zkoumat pouze topografii povrchu. Ve skutečnosti obsahuje STM obraz povrchu informaci o hustotě elektronových stavů povrchu pro energii odpovídající napětí mezi hrotem a vzorkem. Použijeme-li STM ve spektroskopickém modu (STS), lze studovat lokální hustotu stavů povrchu v rozsahu několika eV kolem Fermiho meze. |