Vliv snižování teploty povrchu křemíku Si(100) na morfologii růstu kovu při malém pokrytí
| Thesis title in Czech: | Vliv snižování teploty povrchu křemíku Si(100) na morfologii růstu kovu při malém pokrytí |
|---|---|
| Thesis title in English: | Influence of decreasing surface temperature of Si(100) on metal growth morphology at low coverage |
| Key words: | STM, Si(100), růst cínových řetízků, Sn, rozdělení délek řetízků |
| English key words: | STM, Si(100), Sn chains growth, Sn, chain lenght distribution |
| Academic year of topic announcement: | 2014/2015 |
| Thesis type: | Bachelor's thesis |
| Thesis language: | čeština |
| Department: | Department of Surface and Plasma Science (32-KFPP) |
| Supervisor: | prof. RNDr. Ivan Ošťádal, CSc. |
| Author: | hidden - assigned and confirmed by the Study Dept. |
| Date of registration: | 24.10.2014 |
| Date of assignment: | 24.10.2014 |
| Confirmed by Study dept. on: | 28.11.2014 |
| Date and time of defence: | 11.09.2015 00:00 |
| Date of electronic submission: | 29.07.2015 |
| Date of submission of printed version: | 29.07.2015 |
| Date of proceeded defence: | 11.09.2015 |
| Opponents: | RNDr. Peter Matvija, Ph.D. |
| Advisors: | doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc. |
| Guidelines |
| 1. Seznámení se s technikou STM a metodikou experimentu s depozicí Sn (In) na Si(100).
2. Příprava vzorků s pokrytím < 0.1 ML při několika teplotách menších než pokojová a získání zobrazení morfologie pomocí STM. 3. Zpracování dat z STM a získání růstových charakteristik. 4. Diskuse výsledků s ohledem na kinetiku růstu. |
| References |
| Chen C.J., Introduction to Scanning Tunneling Microscopy, Oxford Univ. Press, Oxford 1993, 2008.
Jakub Javorský, Early stages of indium growth on the Si(100) surface, Doktorská disertační práce, MFF UK v Praze, 2011. Další literatura a články podle doporučení vedoucího práce. |
| Preliminary scope of work |
| Teplota křemíkového substrátu při vakuové depozici ovlivňuje pohyblivost atomů a společně s depoziční rychlostí kinetiku růstu a morfologii atomárních řetízků. Studium morfologie a získání růstových charakteristik s atomárním rozlišením pomocí skenovací tunelové mikroskopie (STM) pro různé podmínky růstu umožňují rekonstruovat scénář růstu a posoudit význam předpokládaných povrchových procesů pro růst. Práce se zaměří na růst atomárních řetízků india, které bylo dosud studováno pouze při pokojové a vyšších teplotách, kdy se mohou atomy od řetízků odpojovat a roste četnost kratších řetízků. Při nízkých teplotách se četnost odpojování sníží a zároveň poklesne i pohyblivost jednotlivých atomů india po povrchu a tím i pravděpodobnost jejich záchytu a nukleace řetízků na C-defektech. Lze očekávat podstatné ovlivnění kinetiky růstu, které může vést až ke kvalitativním změnám v růstových charakteristikách.
Experimentální část práce bude prováděna na ultravakuovém sytému pro přípravu a měření vzorků při různých teplotách. Výsledky práce budou důležité pro posouzení modelu růstu navrženého na základě vyhodnocení růstu při pokojové a výšších teplotách a jeho testování pomocí kinetických Monte Carlo simulací. http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/bak-abs.php?id=208 |
| Preliminary scope of work in English |
| http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/bak-abs.php?id=208 |