Vliv povrchu na bezkontaktní meření odporu semiizolačního CdTe
| Thesis title in Czech: | Vliv povrchu na bezkontaktní meření odporu semiizolačního CdTe |
|---|---|
| Thesis title in English: | Surface influence on contactless resistivity measurement of semiinsulating CdTe |
| Academic year of topic announcement: | 2015/2016 |
| Thesis type: | project |
| Thesis language: | čeština |
| Department: | Institute of Physics of Charles University (32-FUUK) |
| Supervisor: | prof. Ing. Jan Franc, DrSc. |
| Author: |
| Guidelines |
| 1. Prostudovat literaturu o bezkontaktním měření odporu a fotovodivosti.
2. Seznámit se s aparaturou Corema. 3. Připravit sérii vzorků pro měření. 4. Naměřit mapy odporu a fotovodivosti vzorků s různou úpravou povrchu. 5. Vyhodnotit naměřené mapy a diskutovat výsledky. |
| References |
| 1. R. Stibal, J. Windscheif, W. Jantz, Contactless evaluation of semiinsulating GaAs wafer resistivity using time-dependent charge measurements, Semicond. Sci. Technol. 6, 995 (1991).
2. D.K.Schroeder, Semiconductor Material and device characterization, John Wiley and Sons, New York, 1998, p.1-55 3. J. Crocco, H. Bensalah, Q. Zheng, F. Dierre, P. Hidalgo, J. Carrascal, O. Vela, J. Piqueras, and E. Dieguéz, Study ot the Effects of Edge Morphology on Detector Performance by Leakage Current and Cathodoluminescence, IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 50, No. 4, 2011, p. 1935-1941 |
| Preliminary scope of work |
| Zájem o nechlazené detektory rentgenova záření výrazně narostl v posledních několika letech. Příčinou jsou především požadavky na aplikace detektorů v oblasti medicíny a bezpečnosti. Semiizolační CdTe je optimálním materiálem pro přípravu tohoto typu detektorůí. To je způsobeno zejména velkým atomovým číslem CdTe a tím i vysokou absorpční schopností fotonů rentgenova záření, nízkým temným proudem a dlouhou instrinsickou dobou života elektronů.
Vysoký elektrický odpor (~10^9Ohmcm) je nezbytně nutný pro snížení temného proudu v detektorech, a tím dosažení vysokého poměru signál-šum. Potřebného elektrického odporu lze dosáhnout vhodným legováním cizími příměsemi (In,Cl). Současně s vysokým elektrickým odporem je pro optimální činnost detektoru nutná nízká koncentrace defektů. Defekty v CdTe však působí jako pasti a rekombinační centra a mají tím za následek zhoršení sběru náboje. Jednou z metod charakterizace defektů je bezkontaktní měření odporu. Tato metoda využívá dielektrických vlastností materiálu a v mapovacím režimu umožňuje bez náročné přípravy kontaktů zjistit rozložení odporu vzorku. Z teorie je tato metoda nezávislá na úpravě povrchu měřeného matriálu, ale v praxi se zjištuje závislost měřeného náboje bezkontaktní metodou na povrchových stavech vzorku a tím se zhoršuje spolehlivost metody pro všeobecné použití. Cílem projektu je naměřit odpor a fotovodivost bezkontaktní metodou na sérii vzorků s různou povrchovou úpravou v závislosti na různých parametrech experimentu, stanovit souvislosti mezi naměřenými jevy a vypracovat optimální metodiku měření. |