Studium adsorpce a mobility atomů Al na povrchu Si(100)
| Thesis title in Czech: | Studium adsorpce a mobility atomů Al na povrchu Si(100) |
|---|---|
| Thesis title in English: | Adsorption and mobility of Al adatoms on Si(100) surface |
| Key words: | STM, hliník, cín, Si(100), růst |
| English key words: | STM, aluminium, tin, Si(100), growth |
| Academic year of topic announcement: | 2011/2012 |
| Thesis type: | diploma thesis |
| Thesis language: | čeština |
| Department: | Department of Surface and Plasma Science (32-KFPP) |
| Supervisor: | prof. RNDr. Ivan Ošťádal, CSc. |
| Author: | hidden - assigned and confirmed by the Study Dept. |
| Date of registration: | 10.10.2011 |
| Date of assignment: | 03.11.2011 |
| Confirmed by Study dept. on: | 15.12.2011 |
| Date and time of defence: | 18.09.2013 00:00 |
| Date of electronic submission: | 02.08.2013 |
| Date of submission of printed version: | 02.08.2013 |
| Date of proceeded defence: | 18.09.2013 |
| Opponents: | doc. Mgr. Josef Mysliveček, Ph.D. |
| Guidelines |
| 1) Zvládnutí techniky nízkoteplotního STM experimentu a metodiky měření.
2) Doladění podmínek depozice Al pro vytvoření minimálního pokrytí jednotlivými atomy. 3) Studium zobrazení jednotlivých atomů v adsorpčních pozicích. 4) Měření tunelových spekter – studium vlivu adsorbátu na elektronovou strukturu povrchu. 5) Studium možnosti posunu atomů Al ve „snadném směru“ pomocí hrotu STM. Analýza podmínek pro spontánní a hrotem aktivované přeskoky. |
| References |
| [1] Bai Ch., Scanning Tunneling Microscopy and its Application, Springer Series in Surf.Sci. 32, Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, N.Y., 1992.
[2] Güntherodt H.-J. and Wiesendanger R., Scanning Tunneling Microscopy I (General Principles and Applications to Clean and Adsorbate Covered Surfaces), 2nd. ed., Springer Series in Surf. Sci. 20, Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, 1994. [3] Články v odborných časopisech doporučené vedoucím práce. |
| Preliminary scope of work |
| Technika rastrovací tunelové mikroskopie (STM) umožňuje při nízkých teplotách studovat detaily adsorpce jednotlivých atomů kovu na povrchu křemíku Si(100). Atomy Al se podle teoretických výpočtů mezi dalšími kovy III skupiny (Ga, In) vyznačují největšími vazebními energiemi a zároveň silnou anizotropií při pohybu po povrchu Si(100). Dosud nejsou k dispozici data, týkající se zobrazení jednotlivých atomů na povrchu ani spektroskopická měření pomocí STM. Vyšší vazební energie vytvářejí lepší podmínky pro studium mobility atomů Al a vlivu hrotu na pohyblivost než se ukázalo v případě In. Práce je zaměřena na experimentální studium adsorpce a pohyblivosti atomů Al při nízkých teplotách.
Pro experimenty je k dispozici UHV STM komora vybavená systémem pro nastavení teploty vzorku v rozmezí 50 K- 500 K. Experimentální zařízení obsahuje rozsáhlé možnosti pro řízenou depozici široké škály kovů a efektivní přípravu vzorků a jejich měření. Práce je součástí vědeckého programu skupiny tenkých vrstev a může být přípravou pro další doktorské studium. http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/dipl-abs.php?id=654 |
| Preliminary scope of work in English |
| http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/dipl-abs.php?id=654 |