1. Seznámení se s metodou měření a s ovládáním difraktometru
2. Měření difrakčních křivek vrstev AlAs/GaAs a GaMnAs/GaAs
š. Analýza naměřených dat, určení tloušťky vrstv a mřížkového parametru
Seznam odborné literatury
V. Holý, U. Pietsch and T. Baumbach, High-Resolution X-Ray Scattering From Thin Films and Multilayers, Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, New York 1999.
Předběžná náplň práce
Je-li rozdíl mřížkových parametrů epitaxní vrstvy a substrátu dostatečně malý, je epitaxní vrstva na substrátu elasticky deformovaná tak, aby její mřížkový parametr ve směru rovnoběžném s rozhraním se shodoval s mřížkovým parametrem substrátu (pseudomorfní struktu-ra). Cílem práce je určení tloušťky monokrystalické epitaxní vrstvy a jejího mřížkového parametru ve směru kolmém na povrch pomocí symetrické rtg difrakce na odraz. Z difrakčních křivek naměřených v několika symetrických difrakcich se ze vzdáleností maxim od vrstvy a substrátu jednoduše stanoví relativní rozdíl vertikálních mřížkových parametrů. Pro určení tloušťky vrstvy je potřeba srovnat difrakční křivku se simulací. Pro měření se použije nový difraktometr PANalytical s vysokým rozlišením, software na simulaci difrakčních křivek je k disposici.
Předběžná náplň práce v anglickém jazyce
If the mismatch between a thick substrate and an epitaxial layer deposited on it sufficiently small, the epitaxial layer is elastically deformed so that the lattice parameters of both materials in the interface direction coincide (a pseudomorph structure). The aim of the work is to determine the thickness of such a deformed layer and its lattice parameter in the direction perpendicular to the interface using a symmetrical x-ray diffraction in the reflection geometry. From the diffraction curves measured in several symmetrical diffractions it is possible to determine the vertical lattice parameter of the layer from the angular distance between the substrate and layer diffraxction maxima. For the determination of the layer thickness, a numerical fit of the measured curves with theoretical simulations is necessary. The work is mainly experimental, the measurements will be carried out on the high-resolution diffractometer PANalytical in our x-ray lab. The simulation software is available.
