Cílené přemisťování fragmentů molekuly vody po povrchu křemíku Si(100) 2×1 pomocí hrotu STM
Název práce v češtině: | Cílené přemisťování fragmentů molekuly vody po povrchu křemíku Si(100) 2×1 pomocí hrotu STM |
---|---|
Název v anglickém jazyce: | Positioning of water molecule fragments on the Si(100) 2×1 surface using STM tip |
Akademický rok vypsání: | 2008/2009 |
Typ práce: | bakalářská práce |
Jazyk práce: | |
Ústav: | Katedra fyziky povrchů a plazmatu (32-KFPP) |
Vedoucí / školitel: | doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc. |
Řešitel: |
Zásady pro vypracování |
1) Rešere literatury týkající se manipulací s jednotlivými atomy pomocí hrotu STM
2) Seznámení se s problematikou STM experimentu v ultravakuu 3) Příprava rekonstruovaného povrchu Si(100) 2×1 4) Měření četnosti změn konfigurace C defektu v závislosti na parametrech tunelového kontaktu 5) Pokusy o řízený přesun atomu vodíku, skupiny OH či obou Výsledky práce budou vychodiskem pro vytváření definovaných nanostruktur atom po atomu na křemíkovém povrchu Si(100)2×1. |
Seznam odborné literatury |
1. Venables J. A.: Surfaces and Thin Film Processes, Cambridge Univ. Press Cambridge 2000
2. Bai C.: Scanning Tunneling Microscopy and its Application, Springer Series in Surf.Sci.32, Berlin-Heidelberg, New York 1992 3. Methods of experimental physics: Scanning tunneling microscopy, ed. by J.A.Stroscio, W.J. Kaiser, Academic Press Ltd., 1993 |
Předběžná náplň práce |
http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/bak-abs.php?id=108
Technika STM je velmi pespektivní v souvislostí s rozvojem nanotechnologií. STM jako jedina technika umožňuje přímou manipulaci s jednotlivými atomy a molekulami na povrchu, vytváření definovaných struktur v atomárním měřítku, a jejich následné zobrazení. Molekula vody se po dopadu na povrch Si(100) 2×1 disociuje a vzniklé fragmenty (H,OH) se naváží na povrchové atomy křemíku. Bylo pozorováno, že během řádkování hrotem mikroskopu nad disociovanou molekulou dochází k viditelnému přepínání mezi různými konfiguracemi, související s přesuny vodíku nebo skupiny OH. Tento systém je proto vhodným kandidátem pro první pokusy s atomárními manipulacemi na povrchu Si(100)2×1. Zvládnutím řízeného přepínání konfigurace a pochopení interakce s hrotem může následně umožnit řízenou manipulaci s disociovanou molekulou vody a také její cílené přemisťování po povrchu a vytváření geometrických předloh pro následnou přípravu kovových nanostruktur, a to v atomárním měřítku. Cílem práce bude studium vlivu parametrů (proud, napětí, vzdálenost) tunelového kontaktu hrot-povrch na četnost změn konfigurace C defektu a nalezení parametrů, při nichž by mohlo docházet k přesunu skupin H a OH po povrchu. Součástí bude i pokus o nalezení parametrů pro ?odsátí? a opětovné uvolnění atomu z hrotu na povrch při pokojové teplotě. |