Témata prací (Výběr práce)Témata prací (Výběr práce)(verze: 285)
Detail práce
   Přihlásit přes CAS
Simulace selektivní párové fotoluminiscence v polovodičích
Název práce v češtině: Simulace selektivní párové fotoluminiscence v polovodičích
Název v anglickém jazyce: Simulation of selective pair photoluminescence in semiconductors
Klíčová slova: luminiscence, polovodiče, optické přechody donor-akceptor
Klíčová slova anglicky: luminescence, semiconductors, donor-acceptor optical transitions
Akademický rok vypsání: 2012/2013
Typ práce: diplomová práce
Jazyk práce: čeština
Ústav: Fyzikální ústav UK (32-FUUK)
Vedoucí / školitel: prof. RNDr. Roman Grill, CSc.
Řešitel:
Oponenti: doc. RNDr. Pavel Hlídek, CSc.
 
 
 
Zásady pro vypracování
1) Prostudovat základní literaturu týkající se interakce světla s látkou se zaměřením na optické přechody v polovodičích.
2) Seznámit se s jevem selektivní párové fotoluminiscence (SPL) v polovodiči CdTe a s modely SPL kvalitativně popisujícími pozorované jevy.
3) Navrhnout způsob numerické simulace SPL.
4) Vytvořit počítačový program pro simulaci SPL.
5) Provést numerické simulace a ověřit platnost modelů.
6) Vyhodnotit získané výsledky, porovnat je s existujícími experimentálními daty a navrhnout model nejlépe popisující SPL.
Seznam odborné literatury
Vybrané kapitoly z:
1) H. Frank: Fyzika a technika polovodičů, SNTL, Praha 1990.
2) B. E. A. Saleh, M. C. Teich: Základy fotoniky, matfyzpress 1994.
3) I. Pelant, J. Valenta: Luminiscenční spektroskopie, Academia Praha 2006.
4) P. Y. Yu, M. Cardona: Fundamentals of Semiconductors, Springer Verlag, Berlin Heidelberg New York, 3rd edition, 2001, kapitola 7.
5) W. Senske, R. A. Street: Phys Rev. B 20, 3267 (1979).
6) H. Tews, H. Venghaus, P.J. Dean: Phys. Rev. B 19, 5178 (1979).
7) Původní časopisecké články týkající se problematiky selektivní párové luminiscence.
Předběžná náplň práce
Měření fotoluminiscence polovodičových monokrystalů patří k základním metodám studia polovodičů. Kromě obvyklých (mezipásových) přechodů jsou ve fotoluminiscenci pozorovány přechody s účastí poruch krystalu, jako jsou přechody pás-defekt a defekt-defekt, které dovolují detailní rozbor hladin defektů. Při měření fotoluminiscence excitované laditelným laserem jsou v některých případech v oblasti energií odpovídajících přechodům defekt-defekt ve spektrech pozorována posouvající se maxima s energii vázanou na energii laseru. Navíc byla pozorována pozoruhodná teplotní závislost intenzit. Modelově se vznik posuvných maxim vysvětluje jako selektivní párová luminiscence mezi defektními stavy, které jsou energeticky v rezonanci s energií laseru.

Hlavní náplní práce bude napsání programu pro numerickou simulaci SPL, pravděpodobně metodou Monte Carlo, a výpočty v různých konfiguracích navzájem interagujících defektů a při různých teplotách. Budou analyzovány modely popisující SPL, nalezen optimální model SPL a navrženy nové experimenty k ověření správnosti modelu.

Práce je vhodná pro studenty všech oborů s pozitivním přístupem k teoretické fyzice pevných látek a se základní orientací v programování.
 
Univerzita Karlova | Informační systém UK