Centra rekombinace v semiizolačním CdTe

• Název práce v češtině: Centra rekombinace v semiizolačním CdTe
• Název v anglickém jazyce: Recombination centers in semiinsulating CdTe
• Klíčová slova: CdTe, rekombinace, fotovodivost, fotoluminiscence
• Klíčová slova anglicky: CdTe, recombination, photoconductivity, photoluminescence
• Akademický rok vypsání: 2010/2011
• Typ práce: diplomová práce
• Jazyk práce: angličtina
• Ústav: Fyzikální ústav UK (32-FUUK)
• Vedoucí / školitel: prof. Ing. Jan Franc, DrSc.
• Řešitel: skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd.
• Datum přihlášení: 22.09.2010
• Datum zadání: 22.09.2010
• Datum a čas obhajoby: 18.09.2012 00:00
• Datum odevzdání elektronické podoby: 31.07.2012
• Datum odevzdání tištěné podoby: 03.08.2012
• Datum proběhlé obhajoby: 18.09.2012
• Oponenti: Prof. Michael Fiederle
• Konzultanti: doc. RNDr. Pavel Hlídek, CSc.

Zásady pro vypracování

1. Navrhnout a realizovat úpravu zařízení pro měření elektrického odporu a fotovodivosti bezkontaktní metodou
pro aplikaci vyšších napětí
2. Provést mapování elektrického odporu a fotovodivosti semiizolačních krystalů CdTe bezkontaktní metodou
3. Analyzovat závislost měřených veličin na napětí.
4. Analyzovat oblasti s různou mírou rekombinace měřením luminiscence a spektroskopie hlubokých hladin
a určit korelaci mezi jednotlivými měřeními
5. Stanovit faktory ovlivňující míru rekombinace v semiizolačním CdTe

Seznam odborné literatury

1. C.Szeles, Physica Status Solidi B 241 (2004) 783
2.T.E.Schlesinger et al., Materials Science Eng.R 32 (2001)
3.G.F.Knoll, Radiation detection and Measurement, John Wiley and Sons, (2000)