Room-temperature semiconducting detectors
Název práce v češtině: | Polovodičové detektory záření pracující za pokojové teploty |
---|---|
Název v anglickém jazyce: | Room-temperature semiconducting detectors |
Klíčová slova: | CdTe/CdZnTe, povrchové úpravy, depolarizace, technika transientních proudů |
Klíčová slova anglicky: | CdTe/CdZnTe, surface treatments, depolarization, transient current technique |
Akademický rok vypsání: | 2013/2014 |
Typ práce: | disertační práce |
Jazyk práce: | angličtina |
Ústav: | Fyzikální ústav UK (32-FUUK) |
Vedoucí / školitel: | doc. Ing. Eduard Belas, CSc. |
Řešitel: | skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd. |
Datum přihlášení: | 27.09.2013 |
Datum zadání: | 27.09.2013 |
Datum potvrzení stud. oddělením: | 04.02.2014 |
Datum a čas obhajoby: | 15.09.2017 09:00 |
Datum odevzdání elektronické podoby: | 19.07.2017 |
Datum odevzdání tištěné podoby: | 27.07.2017 |
Datum proběhlé obhajoby: | 15.09.2017 |
Oponenti: | Ing. Jiří Oswald, CSc. |
doc. Ing. Ivan Štekl, CSc. | |
Konzultanti: | prof. RNDr. Roman Grill, CSc. |
Zásady pro vypracování |
1. Seznámit se s principy detekce záření.
2. Seznámit se s přípravou detektorů. 3. Teoreticky zpracovat vliv strukturních defektů a kontaktů na detekční vlastnosti detektorů. 4. Provést žíhání detektorů. 5. Porovnat elektrické, optické, strukturní a spektroskopické vlastnosti detektorů před a po žíhání. 6. Aplikovat různé technologie přípravy kontaktů. 7. Porovnat elektrické, optické, a spektroskopické vlastnosti detektorů s různými kontakty. 6. Vyhodnotit optimální způsob přípravy detektorů. |
Seznam odborné literatury |
1. Diffusion in Solids, P.G.Shewmon, McGraw-Hill Series in Mater.Sci.Engin.,
2. Bulk Crystal Growth of Electronic, Optical and Optoelectronic materials, J.Wiley&Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester, England 2005, edit. P.Capper. ISBN 0-470-85142-2 3. Fyzika a Technika Polovodičů, SNTL 1990, edit.H. Frank, ISBN 80-03-00401-2 4. Crystal Growth Technology, J.Wiley&Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester, England 2004, edit. H.J.Scheel, T.Fukuda. ISBN 0-471-49524-7 5. Radiation Detection and Measurement, G.F.Knoll, J.Wiley&Sons,Inc., ISBN 978-0-471-07338-3 6. Odborné články týkající se dané problematiky |
Předběžná náplň práce |
Polovodivé materiály na bázi (CdZn)Te představují významnou skupinu materiálů pro aplikaci v optoelektronice jako detektory záření a rovněž jako podložka pro epitaxní růst (HgCd)Te používaného pro detekci infračerveného záření. Práce je hlavně zaměřena na výzkum optimálních podmínek žíhání materiálu v parách teluru nebo kadmia, které povedou k zlepšení detekčních vlastností detektorů gama a rtg záření na bázi polovodiče (CdZn)Te. Před a po žíhání budou proměřeny elektrické a optické vlastnosti jednotlivých detektorů a následně budou porovnány jejich detekční vlastnosti. V rámci práce bude také proveden výzkum vlivu kontaktů na detekční vlastnosti detektorů. Dále je práce zaměřena na testování nových materiálů vhodných pro detekci záření za pokojové teploty.
Zájem o vysokohorskou turistiku, lyžování a cyklistiku je vítán. |
Předběžná náplň práce v anglickém jazyce |
Semiconducting materials based on (CdZn)Te represent important group of materials for optoelectronic applications as a radiation detectors or substrates for epitaxial growth of narrow-gap (HgCd)Te used for infrared-ray detection. The goal of this thesis focuses on the investigation of the optimal annealing conditions in tellurium or cadmium vapor pressure, which results to the enhancement of charge collection efficiency of detectors. The electrical, optical and spectroscopic properties of detectors will be tested before and after annealing. |