1. Studium literatury
2. Sestavení simulačního programu
3. Provedení serie simulací strukturního faktoru pro různé polohy Mn iontů v elementární buňce a pro různé stupně lokální distorze buňky
Seznam odborné literatury
časopisecká literatura podle pokynů vedoucího práce
Předběžná náplň práce
V posledních několika letech se intenzivně studuje slitina GaMnAs pro svoje unikátní magnetické vlastnosti. Jednou z možností určení koncentrace substitučně umístěných atomů Mn je přesné měření intenzity difrakce rtg záření na tomto materiálu. Cílem práce je aplikovat známý vztah pro strukturní faktor krystalu na slitinu GaMnAs a vypočítat intenzity různých difrakcí s uvážením atomů Mn v substitučních i intersticiálních polohách i atomů As v polohách Ga, tj. tzv. As antisites. Výpočet bude proveden pro různé energie rtg záření, zejména v okolí absorpční hrany Mn K.
Práce je teoretické a výpočetní povahy a součástí práce je sestavení vlastního počítačového programu.
Předběžná náplň práce v anglickém jazyce
Recently, (Ga,Mn)As semiconductors are intensively studied because of their unique magne-tic properties. One of the methods for the determination of the concentration of Mn atoms in lattice positions (substituting Ga atoms in the GaMnAs alloy) is based on an exact measurement of the intensity of x-ray diffraction. The aim of the work is to apply a well-known formula for the calculation of the structure factor for the GaMnAs alloy and to calculate the intensities of different diffractions taking into account the Mn atoms being both in substitutional and in interstitial positions, and also As antisite defects. The calculations will be performed for various x-ray energies, especially around the MnK absorption edge. The work is purely theoretical and it comprises also a development of a simulation software.
