Stanovení stupně plastické relaxace v epitaxní vrstvě
Název práce v češtině: | Stanovení stupně plastické relaxace v epitaxní vrstvě |
---|---|
Název v anglickém jazyce: | Determination of the degree of plastic relaxation of an epitaxial layer |
Akademický rok vypsání: | 2007/2008 |
Typ práce: | bakalářská práce |
Jazyk práce: | čeština |
Ústav: | Katedra fyziky kondenzovaných látek (32-KFKL) |
Vedoucí / školitel: | prof. RNDr. Václav Holý, CSc. |
Řešitel: |
Zásady pro vypracování |
Překročí-li rozdíl mřížkových parametrů epitaxní vrstvy a substrátu jistou kritickou hodnotu, vznikají při epitaxním růstu na rozhraní substrát-vrstva dislokace a dochází k plastické relaxaci vrstvy. Cílem práce je určení mřížkových parametrů vrstvy ve směru rovnoběžném s rozhraním a kolmo na rozhraní. Pomocí difraktometru s vysokým rozlišením se naměří dvojrozměrné rozložení difraktované intenzity v reciproké rovině v okolí symetrického a asymetrického uzlu reciproké mřížky. Relativní rozdíly mřížkových parametrů lze stanovit z polohy maxima od vrstvy relativně k substrátovému maximu. Pro měření se použije nový difraktometr PANalytical s vysokým rozlišením
Zájemci se mohou dozvědět podrobnosti u V. Holého osobně nebo na e-mailové adrese: holy@mag.mff.cuni.cz Po konzultaci se mohou tamtéž přihlásit.Práce je též vhodná pro uchazeče o magisterské studium. |
Seznam odborné literatury |
Pietsch U., Holý V. and Baumbach T., High-Resolution X-Ray Scattering From Thin Films to Lateral Nanostructures, Advanced Texts in Physics, Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, New York 2004.
|
Předběžná náplň práce |
Překročí-li rozdíl mřížkových parametrů epitaxní vrstvy a substrátu jistou kritickou hodnotu, vznikají při epitaxním růstu na rozhraní substrát-vrstva dislokace a dochází k plastické relaxaci vrstvy. Cílem práce je určení mřížkových parametrů vrstvy ve směru rovnoběžném s rozhraním a kolmo na rozhraní. Pomocí difraktometru s vysokým rozlišením se naměří dvojrozměrné rozložení difraktované intenzity v reciproké rovině v okolí symetrického a asymetrického uzlu reciproké mřížky. Relativní rozdíly mřížkových parametrů lze stanovit z polohy maxima od vrstvy relativně k substrátovému maximu. Pro měření se použije nový difraktometr PANalytical s vysokým rozlišením
|
Předběžná náplň práce v anglickém jazyce |
If the difference in the lattice parameters of a single-crystalline epitaxial layer deposited on a single crystalline substrate exceeds a critical value, misfit dislocations at the substrate-layer interface appear during the layer growth, which leads to a plastic relaxation of the layer. The aim of the work is to determine the lattice parameters of an epitaxial layer in directions parallel and perpendicular to the interface. For this purpose, a two-dimensional reciprocal-space distribution of diffracted x-ray intensity will be measured, using a high-resolution diffractometer in the x-ray lab of the Department of electronic structures. The lattice parameters can be determined from the position of the layer maximum in reciprocal space relatively to the maximum of the substrate.
The details of the work can be specified personally or per e-mail holy@mag.mff.cuni.cz |