Early stages of indium growth on the Si (100) surface
| Název práce v češtině: | Studium růstu nanostruktur kovů na površích Si pomocí STM |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce: | Early stages of indium growth on the Si (100) surface |
| Akademický rok vypsání: | 2006/2007 |
| Typ práce: | disertační práce |
| Jazyk práce: | angličtina |
| Ústav: | Katedra fyziky povrchů a plazmatu (32-KFPP) |
| Vedoucí / školitel: | prof. RNDr. Ivan Ošťádal, CSc. |
| Řešitel: | skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd. |
| Datum přihlášení: | 01.10.2006 |
| Datum zadání: | 01.10.2006 |
| Datum a čas obhajoby: | 20.09.2011 09:00 |
| Datum odevzdání elektronické podoby: | 13.05.2011 |
| Datum odevzdání tištěné podoby: | 29.04.2011 |
| Datum proběhlé obhajoby: | 20.09.2011 |
| Oponenti: | RNDr. Antonín Fejfar, CSc. |
| prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. | |
| Konzultanti: | doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc. |