Úprava struktury defektů v polovodičích CdTe/CdZnTe žíháním v Cd a Te parách
| Název práce v češtině: | Úprava struktury defektů v polovodičích CdTe/CdZnTe žíháním v Cd a Te parách |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce: | Adjustment of defect structure in CdTe/CdZnTe semiconductors by annealing at Cd or Te overpressure |
| Akademický rok vypsání: | 2008/2009 |
| Typ práce: | bakalářská práce |
| Jazyk práce: | čeština |
| Ústav: | Fyzikální ústav UK (32-FUUK) |
| Vedoucí / školitel: | prof. Ing. Eduard Belas, CSc. |
| Řešitel: | skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd. |
| Datum přihlášení: | 10.11.2008 |
| Datum zadání: | 10.11.2008 |
| Datum a čas obhajoby: | 22.06.2010 00:00 |
| Datum odevzdání elektronické podoby: | 22.06.2010 |
| Datum proběhlé obhajoby: | 22.06.2010 |
| Oponenti: | prof. RNDr. Roman Grill, CSc. |
| Zásady pro vypracování |
| 1. Seznámit se s základní strukturou bodových defektů a základními principy difúze v polovodičích.
2. Seznámit se s přípravou vzorků a s aparaturou na žíhání. 3. Provést testovací žíhání vzorků. 4. Porovnat elektrické a optické vlastnosti před a po žíhání. |
| Seznam odborné literatury |
| 1. Diffusion in Solids, P.G.Shewmon, McGraw-Hill Series in Mater.Sci.Engin.,
2. Bulk Crystal Growth of Electronic, Optical and Optoelectronic materials, J.Wiley&Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester, England 2005, edit. P.Capper. ISBN 0-470-85142-2 3. Fyzika a Technika Polovodičů, SNTL 1990, edit.H. Frank, ISBN 80-03-00401-2 4. Odborné články týkající se dané problematiky |
| Předběžná náplň práce |
| Práce je zaměřena na výzkum vlivu různých podmínek žíhání na elektrické a optické vlastnosti polovodičů CdTe/CdZnTe. |