Témata prací (Výběr práce)Témata prací (Výběr práce)(verze: 336)
Detail práce
   Přihlásit přes CAS
Structural defects in II-VI semiconductors
Název práce v češtině: Strukturní defekty v II-VI polovodičích
Název v anglickém jazyce: Structural defects in II-VI semiconductors
Klíčová slova: CdTe/CdZnTe|defekty|žíhání|Hallův jev|difúze
Klíčová slova anglicky: CdTe/CdZnTe|Defects|Annealing|Hall effect|Diffusion
Akademický rok vypsání: 2021/2022
Typ práce: rigorózní práce
Jazyk práce: angličtina
Ústav: Fyzikální ústav UK (32-FUUK)
Vedoucí / školitel: doc. Ing. Eduard Belas, CSc.
Řešitel: skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd.
Datum přihlášení: 13.04.2022
Datum zadání: 13.04.2022
Datum potvrzení stud. oddělením: 13.04.2022
Datum a čas obhajoby: 27.04.2022 00:00
Datum odevzdání elektronické podoby:13.04.2022
Datum odevzdání tištěné podoby:13.04.2022
Datum proběhlé obhajoby: 27.04.2022
Zásady pro vypracování
1. Seznámit se se strukturou defektů v II-VI polovodičích.
2. Seznámit se s přípravou vzorků a s aparaturami na měření elektrických, galvanomagnetických a optických vlastností vzorků.
3. Seznámit se s aparaturou na žíhání vzorků a s aparaturou na měření za vysokých teplot.
4. Provést žíhání vzorků.
5. Provést charakterizaci vzorků pomocí jednotlivých metod v teplotním intervalu 77-300K a 300K-1200K.
6. Porovnat vlastnosti vzorků před a po žíhání a porovnat s výsledky vysokoteplotních měření.
7. Vyhodnotit vliv teploty na strukturu defektů ve zkoumaných vzorcích.
Seznam odborné literatury
1. Diffusion in Solids, P.G.Shewmon, McGraw-Hill Series in Mater.Sci.Engin.,
2. Bulk Crystal Growth of Electronic, Optical and Optoelectronic materials, J.Wiley&Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester, England 2005, edit. P.Capper. ISBN 0-470-85142-2
3. Fyzika a Technika Polovodičů, SNTL 1990, edit.H. Frank, ISBN 80-03-00401-2
4. Crystal Growth Technology, J.Wiley&Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester, England 2004, edit. H.J.Scheel, T.Fukuda. ISBN 0-471-49524-7
5. Odborné články týkající se dané problematiky
Předběžná náplň práce
Polovodivé materiály na bázi CdTe představují významnou skupinu materiálů pro aplikaci v optoelektronice jako detektory záření, solární články, elektrooptické modulátory a rovněž jako podložka pro epitaxní růst polovodiče (HgCd)Te používaného pro detekci infračerveného záření. Pro přípravu materiálu s předem definovanými elektrickými a optickými vlastnostmi je zásadní identifikace jednotlivých strukturních defektů a jejich komplexů zejména ve vztahu k technologii růstu monokrystalu, případně k podmínkám žíhání. Cílem práce bude studium chování strukturních defektů při růstu krystalů nebo následně při jejich žíhání v parách teluru nebo kadmia. Výsledky budou použity k optimalizaci podmínek přípravu materiálu s nízkou koncentrací těchto defektů.
Zájem o vysokohorskou turistiku, lyžování a cyklistiku je vítán.
 
Univerzita Karlova | Informační systém UK