Structural defects in II-VI semiconductors

• Název práce v češtině: Strukturní defekty v II-VI polovodičích
• Název v anglickém jazyce: Structural defects in II-VI semiconductors
• Klíčová slova: CdTe/CdZnTe|defekty|žíhání|Hallův jev|difúze
• Klíčová slova anglicky: CdTe/CdZnTe|Defects|Annealing|Hall effect|Diffusion
• Akademický rok vypsání: 2021/2022
• Typ práce: rigorózní práce
• Jazyk práce: angličtina
• Ústav: Fyzikální ústav UK (32-FUUK)
• Vedoucí / školitel: doc. Ing. Eduard Belas, CSc.
• Řešitel: skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd.
• Datum přihlášení: 13.04.2022
• Datum zadání: 13.04.2022
• Datum potvrzení stud. oddělením: 13.04.2022
• Datum a čas obhajoby: 27.04.2022 00:00
• Datum odevzdání elektronické podoby: 13.04.2022
• Datum odevzdání tištěné podoby: 13.04.2022
• Datum proběhlé obhajoby: 27.04.2022

Zásady pro vypracování

1. Seznámit se se strukturou defektů v II-VI polovodičích.
2. Seznámit se s přípravou vzorků a s aparaturami na měření elektrických, galvanomagnetických a optických vlastností vzorků.
3. Seznámit se s aparaturou na žíhání vzorků a s aparaturou na měření za vysokých teplot.
4. Provést žíhání vzorků.
5. Provést charakterizaci vzorků pomocí jednotlivých metod v teplotním intervalu 77-300K a 300K-1200K.
6. Porovnat vlastnosti vzorků před a po žíhání a porovnat s výsledky vysokoteplotních měření.
7. Vyhodnotit vliv teploty na strukturu defektů ve zkoumaných vzorcích.

Seznam odborné literatury

1. Diffusion in Solids, P.G.Shewmon, McGraw-Hill Series in Mater.Sci.Engin.,
2. Bulk Crystal Growth of Electronic, Optical and Optoelectronic materials, J.Wiley&Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester, England 2005, edit. P.Capper. ISBN 0-470-85142-2
3. Fyzika a Technika Polovodičů, SNTL 1990, edit.H. Frank, ISBN 80-03-00401-2
4. Crystal Growth Technology, J.Wiley&Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester, England 2004, edit. H.J.Scheel, T.Fukuda. ISBN 0-471-49524-7
5. Odborné články týkající se dané problematiky

Předběžná náplň práce

Polovodivé materiály na bázi CdTe představují významnou skupinu materiálů pro aplikaci v optoelektronice jako detektory záření, solární články, elektrooptické modulátory a rovněž jako podložka pro epitaxní růst polovodiče (HgCd)Te používaného pro detekci infračerveného záření. Pro přípravu materiálu s předem definovanými elektrickými a optickými vlastnostmi je zásadní identifikace jednotlivých strukturních defektů a jejich komplexů zejména ve vztahu k technologii růstu monokrystalu, případně k podmínkám žíhání. Cílem práce bude studium chování strukturních defektů při růstu krystalů nebo následně při jejich žíhání v parách teluru nebo kadmia. Výsledky budou použity k optimalizaci podmínek přípravu materiálu s nízkou koncentrací těchto defektů.
Zájem o vysokohorskou turistiku, lyžování a cyklistiku je vítán.