Structure defects in SiC radiation detectors

• Název práce v češtině: Strukturní defekty v SiC detektorech
• Název v anglickém jazyce: Structure defects in SiC radiation detectors
• Klíčová slova: SiC, defekty, žíhání, Hallův jev, Fotoluminiscence, Transientní proudy
• Klíčová slova anglicky: SiC, Defects, Annealing, Hall effect, Photoluminescence, Transient currents
• Akademický rok vypsání: 2018/2019
• Typ práce: rigorózní práce
• Jazyk práce: angličtina
• Ústav: Fyzikální ústav UK (32-FUUK)
• Vedoucí / školitel: doc. Ing. Eduard Belas, CSc.
• Řešitel: skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd.
• Datum přihlášení: 30.07.2019
• Datum zadání: 30.07.2019
• Datum potvrzení stud. oddělením: 30.07.2019
• Datum a čas obhajoby: 26.11.2019 00:00
• Datum odevzdání elektronické podoby: 01.08.2019
• Datum odevzdání tištěné podoby: 01.08.2019
• Datum proběhlé obhajoby: 26.11.2019

Zásady pro vypracování

OEM
1. Seznámit se se strukturou defektů v SiC detektorech.
2. Seznámit se s přípravou detektorů a s aparaturami na měření jejich elektrických, optických a spektroskopických vlastností.
3. Seznámit se s aparaturou na žíhání vzorků.
4. Provést charakterizaci detektorů pomocí jednotlivých metod v teplotním intervalu 77-300K a 300K-500K.
5. Provést žíhání detektorů.
6. Porovnat vlastnosti detektorů před a po žíhání.
7. Vyhodnotit vliv žíhání na strukturu defektů a na kvalitu připravených SiC detektorů.

Seznam odborné literatury

1. Diffusion in Solids, P.G.Shewmon, McGraw-Hill Series in Mater.Sci.Engin.,
2. Bulk Crystal Growth of Electronic, Optical and Optoelectronic materials, J.Wiley&Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester, England 2005, edit. P.Capper. ISBN 0-470-85142-2
3. Fyzika a Technika Polovodičů, SNTL 1990, edit.H. Frank, ISBN 80-03-00401-2
4. Crystal Growth Technology, J.Wiley&Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester, England 2004, edit. H.J.Scheel, T.Fukuda. ISBN 0-471-49524-7
5. Odborné články týkající se dané problematiky

Předběžná náplň práce

Polovodivé materiály na bázi SiC představují významnou skupinu materiálů pro aplikaci v optoelektronice jako detektory záření nebo jako podložka pro epitaxní růst vrstev grafenu. Pro přípravu materiálu s vysokou efektivitou sběru náboje je zásadní identifikace strukturních defektů a jejich komplexů, které působí jako rekombinační případně pasťová centra v detektoru. Cílem práce bude nalezení způsobu žíhání, které povede k snížení koncentrace defektů a zároveň ke zvýšení detekčních vlastností žíhaných detektorů. Výsledky budou použity k optimalizaci podmínek přípravu SiC detektorů.
Zájem o vysokohorskou turistiku, lyžování a cyklistiku je vítán.