Role vodíku při růstu epitaxního grafénu na SiC

• Název práce v češtině: Role vodíku při růstu epitaxního grafénu na SiC
• Název v anglickém jazyce: Role of hydrogen during growth of epitaxial graphene on SiC
• Klíčová slova: epitaxní grafén, SiC, vodík
• Klíčová slova anglicky: epitaxial graphene, SiC, hydrogen
• Akademický rok vypsání: 2017/2018
• Typ práce: bakalářská práce
• Jazyk práce: čeština
• Ústav: Fyzikální ústav UK (32-FUUK)
• Vedoucí / školitel: doc. RNDr. Jan Kunc, Ph.D.
• Řešitel: skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd.
• Datum přihlášení: 16.10.2017
• Datum zadání: 16.10.2017
• Datum potvrzení stud. oddělením: 12.12.2018
• Datum a čas obhajoby: 10.09.2019 09:00
• Datum odevzdání elektronické podoby: 18.07.2019
• Datum odevzdání tištěné podoby: 18.07.2019
• Datum proběhlé obhajoby: 10.09.2019
• Oponenti: prof. Ing. Jan Čechal, Ph.D.

Zásady pro vypracování

Student provede experimentální studium růstu epitaxního grafénu na karbidu křemíku se zaměřením na vliv vodíku. V úvodu práce bude provedena rešerše dosavadních prací zabývajícími se interkalováním grafénu ve vodíku. Experimentální část se bude skládat z přípravy vzorků grafénu v různých směsích argonu a vodíku. Vedle samotné přípravy vzorků proběhne jejich charakterizace metodami Ramanovy spektroskopie, mikroskopie atomárních sil a měření Hallova jevu.

Seznam odborné literatury

[1] S. Forti, K. V. Emtsev, C. Coletti, A. A. Zakharov, C. Riedl, U. Starke, Phys. Rev. B 84, 125449 (2011)
[2] B. Tsuchiya, N. Matsunami, S. Bandow, S. Nagata, Diamond and Related Materials 65, 1-4 (2016)
[3] C. Yu, Q. Liu, J. Li, W. Lu, Z. He, S. Cai, Z. Feng, Appl. Phys. Lett. 105, 183105 (2014)
[4] M. S. Janson, A. Hallén, M. K. Linnarsson, B. G. Svensson, Phys. Rev. B 64, 195202 (2001)