Studium vlastností InGaN/GaN vícenásobných kvantových jam pomocí mikro-luminiscence a mikro-Ramanova rozptylu
| Název práce v češtině: | Studium vlastností InGaN/GaN vícenásobných kvantových jam pomocí mikro-luminiscence a mikro-Ramanova rozptylu |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce: | Micro-luminescence and micro-Raman scattering study of InGaN/GaN multiple quantum wells |
| Klíčová slova: | nitridové heterostruktury, luminiscence, Ramanův rozptyl, MOVPE |
| Klíčová slova anglicky: | nitride heterostructures, luminescence, Raman scaterring, MOVPE |
| Akademický rok vypsání: | 2016/2017 |
| Typ práce: | bakalářská práce |
| Jazyk práce: | čeština |
| Ústav: | Fyzikální ústav UK (32-FUUK) |
| Vedoucí / školitel: | RNDr. Eva Kočišová, Ph.D. |
| Řešitel: | skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd. |
| Datum přihlášení: | 31.10.2016 |
| Datum zadání: | 03.11.2016 |
| Datum potvrzení stud. oddělením: | 10.01.2017 |
| Datum a čas obhajoby: | 25.06.2019 09:00 |
| Datum odevzdání elektronické podoby: | 17.05.2019 |
| Datum odevzdání tištěné podoby: | 17.05.2019 |
| Datum proběhlé obhajoby: | 25.06.2019 |
| Oponenti: | doc. Ing. Petr Praus, CSc. |
| Konzultanti: | Dr. Ing. Karla Kuldová |
| Zásady pro vypracování |
| 1) Seznámení se se základními vlastnostmi nitridových heterostruktur, technologií jejich přípravy a základními metodami jejich charakterizace.
2) Osvojení si práce na spektrometru LabRAM HR Evolution a využití Ramanovy a luminiscenční mikrospektroskopie k charakterizaci InGaN/GaN vícenásobných kvantových jam připravených různým technologickým postupem. 3) Diskuse naměřených výsledků v souvislosti s předpokládaným využitím studovaných struktur jako rychlých scintilačních detektorů. |
| Seznam odborné literatury |
| [1] Pelant, I., Valenta, J., Luminiscenční spektroskopie I., 1. vydání Academia: Praha, 2006.
[2] Pelant, I., Valenta, J., Luminiscenční spektroskopie II., 1. vydání Academia: Praha, 2010. [3] Morkoc, H., Nitride Semiconductors and Devices, Springer Series in Materials Science, 1999 [4] Hiroshi Harima, Properties of GaN and related compounds studied by means of Raman scattering, A Review, J. Phys.: Condens. Matter 14 (2002) R967 [5] Soubor vybraných původních prací. |
| Předběžná náplň práce |
| Gallium nitrid (GaN), aluminium nitrid (AlN), indium nitrid (InN) a jejich ternární a kvaternární kombinace jsou v současnosti považovány hned po křemíku za nejdůležitější polovodiče. Mají široké uplatnění, známé je využití v barevných displejích, LED osvětlení, využívány jsou i v jaderných elektrárnách nebo v kosmu, protože jsou odolné proti kosmickému záření, významné jsou i výkonné vysokofrekvenční aplikace pro civilní i vojenské účely.
Tato bakalářská práce je zaměřena na studium vlastností nitridových heterostruktur připravovaných ve Fyzikálním ústavu AV ČR pro jejich použití jako rychlé scintilátory v medicínských diagnostických přístrojích nebo v rychlých skenovacích elektronových mikroskopech. Jedná se o novou aplikaci, jejíž vývoj v současnosti ve světě teprve začíná. |