Studium anizotropní magnetorezistence magnetického polovodiče GaMnAs
| Název práce v češtině: | Studium anizotropní magnetorezistence magnetického polovodiče GaMnAs |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce: | Investigation of anizotropic magnetorezistence of ferromagnetic semiconductor GaMnAs |
| Klíčová slova: | MBE, GaMnAs, AMR |
| Klíčová slova anglicky: | MBE, GaMnAs, AMR |
| Akademický rok vypsání: | 2013/2014 |
| Typ práce: | bakalářská práce |
| Jazyk práce: | čeština |
| Ústav: | Katedra chemické fyziky a optiky (32-KCHFO) |
| Vedoucí / školitel: | prof. RNDr. Petr Němec, Ph.D. |
| Řešitel: | skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd. |
| Datum přihlášení: | 09.10.2013 |
| Datum zadání: | 09.10.2013 |
| Datum potvrzení stud. oddělením: | 20.01.2014 |
| Datum a čas obhajoby: | 17.06.2014 00:00 |
| Datum odevzdání elektronické podoby: | 19.05.2014 |
| Datum odevzdání tištěné podoby: | 19.05.2014 |
| Datum proběhlé obhajoby: | 17.06.2014 |
| Oponenti: | Ing. Štěpán Svoboda |
| Zásady pro vypracování |
| Náplní navrhované bakalářské práce je experimentální studium magneto-transportní anizotropie feromagnetického polovodiče GaMnAs s různým obsahem manganu. Řešitel práce litograficky připraví vzorky a bude provádět magneto-transportní měření při kryogenních teplotách. Následně z experimentálních dat vyhodnotí magneto-transportní anizotropní parametry a dále s použitím jednodoménového modelu určí magnetické anizotropní konstanty.
Řešení bakalářské práce bude probíhat v rámci společné laboratoře Optospintroniky Matematicko-fyzikální fakulty Univerzity Karlovy v Praze a Fyzikálního ústavu Akademie věd, v.v.i., kde je zaměstnán konzultant práce Mgr. Kamil Olejník, Ph.D. |
| Seznam odborné literatury |
| [1] T. Jungwirth a kol., Rev. Mod. Phys. 78, 809 (2006).
[2] P. Němec a kol., Nat. Commun. 4, 1422 (2013). [3] C. Gould a kol., Phys. Rev. Lett. 93, 117 203 (2004). [4] M. Sawicki a kol., Nature Physics 6, 22 (2010). [5] P. Němec a kol., Nature Phys. 8, 411 (2012). [6] N. Tesařová a kol., Nature Photon. 7, 492 (2013). |
| Předběžná náplň práce |
| GaMnAs (manganem dotovaný GaAs) představuje modelový feromagnetický polovodič [1]. Přestože maximální dosažená Curieova teplota v tomto materiálu nedosahuje pokojové teploty (její hodnota je maximálně 190 K [2]), studium tohoto materiálu vedlo k objevu celé řady nových fyzikálních jevů, jako jsou například tunelovací anizotropní magnetorezistence (TAMR [3]), ovládání magnetismu elektrickým polem [4], nebo ovládání magnetu světlem (optical spin transfer torque [5] a optical spin orbit torque [6]). Navrhovaná práce přispěje k dalšímu porozumění vlastností tohoto materiálu. |
| Předběžná náplň práce v anglickém jazyce |
| GaMnAs (Mn doped GaAs) is a model ferromagnetic semiconductor system [1]. Even though the maximum Curie temperature remains well below the room temperature (it is up to 190 K [2]), the investigation of this material have led to a discovery of several new phenomena, such as tunneling anisotropic magnetoresistance (TAMR [3]), gating of magnetism [4], optical spin transfer torque (OSTT [5]) and optical spin orbit torque [6]. The proposed work will contribute to the understanding of this interesting material. |