Zvýšení kontrastu zobrazeni nanostruktur v STM měřením derivace profilu povrchu pomocí lock-in techniky
Název práce v češtině: | Zvýšení kontrastu zobrazeni nanostruktur v STM měřením derivace profilu povrchu pomocí lock-in techniky |
---|---|
Název v anglickém jazyce: | Contrast enhancement of nanostructures imaging in STM by a direct profile derivative measurement using lock-in technique |
Akademický rok vypsání: | 2012/2013 |
Typ práce: | bakalářská práce |
Jazyk práce: | čeština |
Ústav: | Katedra fyziky povrchů a plazmatu (32-KFPP) |
Vedoucí / školitel: | doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc. |
Řešitel: | skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd. |
Datum přihlášení: | 27.09.2012 |
Datum zadání: | 12.10.2012 |
Datum potvrzení stud. oddělením: | 17.01.2013 |
Datum a čas obhajoby: | 12.09.2013 00:00 |
Datum odevzdání elektronické podoby: | 30.07.2013 |
Datum odevzdání tištěné podoby: | 30.07.2013 |
Datum proběhlé obhajoby: | 12.09.2013 |
Oponenti: | Mgr. Filip Dvořák, Ph.D. |
Zásady pro vypracování |
1) Seznámení se s metodou synchronní detekce signálů.
2) Seznámit se s konkrétním lock-in zesilovačem firmy Femto. 3) Vestavba lock-in zesilovače do stávající STM elektroniky, otestování funkce. 4) Měření derivace profilů na čistém povrchu Si a bimetalických nanostrukturách na površích Si. |
Seznam odborné literatury |
1. Bai C.: Scanning Tunneling Microscopy and its Application, Springer Series in Surf.Sci.32, Berlin-Heidelberg, New York 1992.
2. Methods of experimental physics: Scanning tunneling microscopy, ed.by J.A.Stroscio,W.J.Kaiser, Academic Press Ltd.,1993. |
Předběžná náplň práce |
Technika STM je velmi perspektivní v souvislostí s rozvojem nanotechnologií. STM a nc-AFM jako jediné techniky umožňují přímou manipulaci s jednotlivými atomy a molekulami na povrchu, vytváření definovaných struktur v atomárním měřítku, a jejich následné zobrazení.
Obraz STM je vytvářen snímáním signálu souvisejícího s výškou hrotu nad povrchem. Zjednodušeně lze říci, že větší změny výšky souvisí s geometrií povrchu a polohami atomů, menší změny pak odrážejí lokální rozdíly v elektronické struktuře povrchu. Například v případě bimetalického povrchu umožňují odlišit různé atomy. Někdy jsou tyto malé rozdíly maskovány šumem zařízení. Pak je možno měřit první derivaci výškových profilů s využitím synchronní detekce, která umožňuje získat užitečný signál i z velmi zašuměného signálu. Tímto způsobem lze zvětšit vertikální citlivost STM. Práce je zaměřena na implementaci této techniky do stávajícího experimentálního zařízení STM ve skupině tenkých vrstev a její otestování na strukturách, které jsou zde v současnosti studovány. Práce je experimentálního rázu. http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/bak-abs.php?id=180 |
Předběžná náplň práce v anglickém jazyce |
http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/bak-abs.php?id=180 |