Vliv snižování teploty povrchu křemíku Si(100) na morfologii růstu kovu při malém pokrytí
Influence of decreasing surface temperature of Si(100) on metal growth morphology at low coverage
bakalářská práce (OBHÁJENO)
Zobrazit/ otevřít
Trvalý odkaz
http://hdl.handle.net/20.500.11956/81909Identifikátory
SIS: 150905
Kolekce
- Kvalifikační práce [10691]
Autor
Vedoucí práce
Konzultant práce
Sobotík, Pavel
Oponent práce
Matvija, Peter
Fakulta / součást
Matematicko-fyzikální fakulta
Obor
Obecná fyzika
Katedra / ústav / klinika
Katedra fyziky povrchů a plazmatu
Datum obhajoby
11. 9. 2015
Nakladatel
Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultaJazyk
Čeština
Známka
Výborně
Klíčová slova (česky)
STM, Si(100), růst cínových řetízků, Sn, rozdělení délek řetízkůKlíčová slova (anglicky)
STM, Si(100), Sn chains growth, Sn, chain lenght distributionPráce se zabývá studiem růstu cínových řetízků na povrchu Si(100) připravovaných napařováním při teplotách nižších než pokojová. Pomocí skenovací tunelové mikroskopie (STM) byly získány obrázky povrchu, které umožnily určení růstových charakteristik. Srovnání charakteristik pro různé teploty a dvě různá množství deponovaného kovu ukazuje, že ve všech studovaných případech převládá při růstu stejný mechanizmus. Je popsán a diskutován vliv ohřívání povrchu na rozdělení délek řetízků připravených při nízké teplotě. Dále je diskutován vliv Cdefektů na růst řetízků a tvar škálovací funkce pro rozdělení délek. Byla ověřena použitelnost aparatury chlazené kapalným dusíkem k nízkoteplotním měřením a úspěšně testován nový systém čerpání dusíku do kryopanelu uvnitř STM aparatury.
The thesis is focused on study of growth of tin chains on Si(100) surface deposited by vacuum evaporation at temperatures below room temperature. Scanning tunneling microscopy (STM) was used for surface imaging and growth characteristics were determined from the data. Comparison of the characteristics for different deposition temperatures and two different coverages shows a dominant role of the same growth mechanism in all cases. An influence of heating toward room temperature on chain length distribution of structures prepared at low temperatures is described and discussed. A role of Cdefects at the chain growth and a corresponding influence on shape of a scaling function of the chain length distribution is discussed as well. Properties of the STM system with liquid nitrogen cooling were successfully tested together with developed pumping of nitrogen into a container inside the STM vacuum chamber.