Příprava vzorků, povrchů a kontaktů, metody měření elektrické vodivosti a dalších transportních jevů. Základní parametry nerovnovážných nositelů proudu, doba života, difúzní délka, stanovení základních parametrů poruch v polovodičích, kapacitní metody, fotoelektrické a optické metody.
Poslední úprava: T_KMF (18.05.2001)
Sample preparation, measurement methods of conductivity and others transport phenomena, diffusion length and lifetime of charge carriers, determination of basic parameters of defects in semiconductors, capacitance, photoelectric and optical methods.
Literatura -
Poslední úprava: RNDr. Jan Prokeš, CSc. (13.06.2019)
F. Kremer, A. Schönhals (eds.): Broadband Dielectric Spectroscopy, Springer 2003, kapitola 2 (případně 3, 12 a 13)
J.P. Rundt, J.J. Fitzgerald (eds.): Dielectric Spectroscopy of Polymeric Materials, American Chemical Society 1997, kapitola 2
M. Honda: The Impedance Measurement Handbook, Yokogawa-Hewlett-Packard LTD. 1989
D.K. Schroder: Semiconductor Material and Device Characterization, John Wiley & Sons, Inc. 1998, kapitoly 1.2, 2.2, 2.5
Poslední úprava: RNDr. Jan Prokeš, CSc. (12.10.2017)
Zkouška sestává z ústní části. Požadavky u zkoušky odpovídají sylabu předmětu v rozsahu, který byl prezentován na přednášce.
Poslední úprava: RNDr. Jan Prokeš, CSc. (13.06.2019)
The exam is oral. Requirements for the exam correspond to the syllabus of the course to the extent presented at the lecture.
Sylabus -
Poslední úprava: RNDr. Jan Prokeš, CSc. (13.06.2019)
1. Měření impedance.
Základy měření impedance, vliv parazitních hodnot - skutečná, efektivní a indikovaná hodnota, přehled měřicích metod, princip mostu s automatickým vyrovnáním, způsoby připojení vzorku, eliminace parazitních hodnot, kalibrace a kompenzace, příklady měření a přístrojů.
2. Měření malých napětí, malých proudů a velkých odporů.
Charakteristika elektrometru, pikoampermetru a nanovoltmetru, přesnost měření, charakteristika izolačních materiálů, vliv jejich parazitních efektů, význam stínění a guardování, princip triaxového připojení, šum a drift.
3. Měření transportních jevů.
Problematika kontaktů, obecné podmínky měření, metody měření koncentrace nositelů proudu, elektrické vodivosti, Hallovy konstanty, termoelektrické síly, tepelné vodivosti.
4. Měření základních parametrů nerovnovážných nositelů proudu.
Měření doby života, měření difúzní délky, měření povrchové rekombinace.
5. Stanovení základních parametrů parametrů poruch v polovodičích.
Vymezení pojmů, přehled měřicích metod, jejich srovnání, specifika kapacitních metod, přednosti a příklady použití.
6. Problematika šumu.
Typy šumu, zdroje, matematický popis, metody měření šumu.
Poslední úprava: RNDr. Jan Prokeš, CSc. (13.06.2019)
1. Impedance measurements
Influence of parasitic values – real, effective and indicated value; survey of measurement methods; autobalancing bridge principle; ways of connection the sample; parasitic values elimination, calibration and compensation; examples of the measurements
and devices.
2. Low voltage, low current and high resistance measurements
Description of electrometers, ammeters and nanovoltmeters; instruments accuracy; influence of the parasitic values; shielding, guarding, triax connection, noise, drift.
3. Transport properties measurements
Problems with contacts; general rules of measurements; determination of the charge carrier concentration, electrical conductivity, Hall effect, thermoelectric power, heat transport.
4. Measurement of nonequilibrium carriers lifetime
Lifetime, diffusion length and surface recombination determination.
5. Parameters characterization of defects in semiconductors
Terms definition; survey of experimental methods; description of capacitance methods, their advantages, practical usage.
6. Problems of noise
Types of noise, source of noise; basic description; methods of noise measurements.
