PředmětyPředměty(verze: 945)
Předmět, akademický rok 2023/2024
   Přihlásit přes CAS
Vybrané partie z fyziky tenkých vrstev - NEVF109
Anglický název: Selected Parts from Physics of Thin Films
Zajišťuje: Katedra fyziky povrchů a plazmatu (32-KFPP)
Fakulta: Matematicko-fyzikální fakulta
Platnost: od 2020
Semestr: letní
E-Kredity: 3
Rozsah, examinace: letní s.:2/0, Zk [HT]
Počet míst: neomezen
Minimální obsazenost: neomezen
4EU+: ne
Virtuální mobilita / počet míst pro virtuální mobilitu: ne
Stav předmětu: vyučován
Jazyk výuky: čeština
Způsob výuky: prezenční
Způsob výuky: prezenční
Garant: prof. RNDr. Karel Mašek, Ph.D.
doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc.
Anotace -
Poslední úprava: T_KEVF (19.03.2003)
Přednáška se věnuje speciálním aspektům homoepitaxního a heteroepitaxního růstu tenkých vrstev. Homoepitaxe - orientovaný růst, růst na singulárních a vicinálních površích, vliv rekonstrukce na homoepitaxní růst, přechod mezi 2D a 3D růstem. Heteroepitaxe - růst heteroepitaxních vrstev, jejich fyzikálně chemické vlastnosti a metody jejich zkoumání. Hlavní pozornost je věnována systémům kov-kov a kov-oxid. Vliv pnutí a povrchové rekonstrukce na morfologii vrstev (příklady pro systémy kov-polovodič, polovodič-polovodič), samoorganizace.
Podmínky zakončení předmětu
Poslední úprava: doc. RNDr. Jiří Pavlů, Ph.D. (14.06.2019)

Podmínkou zakončení předmětu je úspěšné složení zkoušky, tj. hodnocení zkoušky známkou "výborně", "velmi dobře" nebo "dobře". Zkouška musí být složena v období předepsaném harmonogramem akademického roku, ve kterém student předmět zapsal.

Literatura
Poslední úprava: T_KEVF (13.05.2005)

D.J.O'Connor, B.A.Sexton, R.St.C.Smart (Eds): Surface Analysis Methods in Materials Science, Springer 2003.

H. Luth: Solid Surfaces, Interfaces and Thin Films, Springer 2001.

Venables J. A.: Surfaces and Thin Film Processes, Cambridge Univ. Press Cambridge 2000.

Michely T., Krug. J.:Islands, Mounds and Atoms, Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2004.

Požadavky ke zkoušce
Poslední úprava: doc. RNDr. Jiří Pavlů, Ph.D. (14.06.2019)

Zkouška je ústní a student dostává typicky dvě otázky ze sylabu předmětu v rozsahu, který byl prezentován na přednáškách.

Sylabus -
Poslední úprava: T_KEVF (13.05.2005)
1. Homoepitaxe
Vliv rekonstrukce na epitaxní růst. Step-flow růst a vliv kinetiky na výslednou drsnost. Magické ostrůvky - homoepitaxe polovodičů, kovů.

2. Heteroepitaxe polovodičů a kovů na polovodičích
Vliv pnutí. Dislokace. Vytváření heterostruktur - SK růst, kvantové tečky, dráty a supermřížky, příklady systémů, PL laser, magnetické multivrstvy. Růst GaAs, Si/Ge heteroepitaxe, Kovy na polovodičích - smíšené rekonstrukce.

3. Heteroepitaxe kovů na kovech a oxidech
Obecné problémy epitaxe a depozice kovů, kovové slitiny, uspořádané slitiny, aktivní getry. Aktivní orientované částice kovů a jejich využití v heterogenní katalýze. Senzory plynů. Měření fyzikálně chemických vlastností heteroepitaxních systémů povrchově citlivými metodami, určení struktury a morfologie.

 
Univerzita Karlova | Informační systém UK