The lecture is devoted to special aspects of homoepitaxial and heteroepitaxial thin film growth. Homoepitaxy - oriented growth, growth on singular and vicinal surfaces, growth on reconstructed surfaces, 2D-3D transition. Heteroepitaxy - heteroepitaxial growth of thin films, their physical and chemical properties and methods of analysis. Attention will be paid to metal-metal and metal-oxid systems. Role of the stress and surface reconstruction on film morphology (examples for metal-semiconductor and semiconductor-semiconductor systems). Selforganization.
Last update: T_KEVF (19.03.2003)
Přednáška se věnuje speciálním aspektům homoepitaxního a heteroepitaxního růstu tenkých vrstev. Homoepitaxe - orientovaný růst, růst na singulárních a vicinálních površích, vliv rekonstrukce na homoepitaxní růst, přechod mezi 2D a 3D růstem. Heteroepitaxe - růst heteroepitaxních vrstev, jejich fyzikálně chemické vlastnosti a metody jejich zkoumání. Hlavní pozornost je věnována systémům kov-kov a kov-oxid. Vliv pnutí a povrchové rekonstrukce na morfologii vrstev (příklady pro systémy kov-polovodič, polovodič-polovodič), samoorganizace.
Course completion requirements - Czech
Last update: doc. RNDr. Jiří Pavlů, Ph.D. (14.06.2019)
Podmínkou zakončení předmětu je úspěšné složení zkoušky, tj. hodnocení zkoušky známkou "výborně", "velmi dobře" nebo "dobře". Zkouška musí být složena v období předepsaném harmonogramem akademického roku, ve kterém student předmět zapsal.
H. Luth: Solid Surfaces, Interfaces and Thin Films, Springer 2001.
Venables J. A.: Surfaces and Thin Film Processes, Cambridge Univ. Press Cambridge 2000.
Michely T., Krug. J.:Islands, Mounds and Atoms, Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2004.
Requirements to the exam - Czech
Last update: doc. RNDr. Jiří Pavlů, Ph.D. (14.06.2019)
Zkouška je ústní a student dostává typicky dvě otázky ze sylabu předmětu v rozsahu, který byl prezentován na přednáškách.
Syllabus -
Last update: T_KEVF (13.05.2005)
1. Homoepitaxy
The role of the reconstruction . Step-flow growth and kinetic roughening. Magic islands - semiconductor and metal homoepitaxy.
2. Semiconductor-semiconductor and metal-semiconductor heteroepitaxy
The role of the stress. Dislocations. Growth of heterostructures - Stranski-Krastanov Growth. Quantum dots, wires and superlattices. Semiconductor lasers. Magnetic multilayers. GaAs epitaxy. Si-Ge heteroepitaxy, Metals on semiconductors - mixed reconstructions
3. Metal heteroepitaxy on metals and oxides
General aspects of metal epitaxy, metal alloys, ordered alloys, active getters. Active oriented metal clusters and their role in heterogeneous catalysis. Gas sensors. Measurement of physical and chemical properties of heteroepitaxial systems using surface sensitive techniques, structure and morphology determination.
Last update: T_KEVF (13.05.2005)
1. Homoepitaxe
Vliv rekonstrukce na epitaxní růst. Step-flow růst a vliv kinetiky na výslednou drsnost. Magické ostrůvky - homoepitaxe polovodičů, kovů.
2. Heteroepitaxe polovodičů a kovů na polovodičích
Vliv pnutí. Dislokace. Vytváření heterostruktur - SK růst, kvantové tečky, dráty a supermřížky, příklady systémů, PL laser, magnetické multivrstvy. Růst GaAs, Si/Ge heteroepitaxe, Kovy na polovodičích - smíšené rekonstrukce.
3. Heteroepitaxe kovů na kovech a oxidech
Obecné problémy epitaxe a depozice kovů, kovové slitiny, uspořádané slitiny, aktivní getry. Aktivní orientované částice kovů a jejich využití v heterogenní katalýze. Senzory plynů. Měření fyzikálně chemických vlastností heteroepitaxních systémů povrchově citlivými metodami, určení struktury a morfologie.
