Thesis (Selection of subject)Thesis (Selection of subject)(version: 368)
Thesis details
   Login via CAS
Magneto-elektrická vazba ve spintronických nanostrukturách - studium dynamické změny magnetizace
Thesis title in Czech: Magneto-elektrická vazba ve spintronických nanostrukturách - studium dynamické změny magnetizace
Thesis title in English: Magneto-electric coupling in spintronic nanostructures - study of dynamic change in magnetization
Academic year of topic announcement: 2015/2016
Thesis type: project
Thesis language:
Department: Institute of Physics of Charles University (32-FUUK)
Supervisor: RNDr. Martin Veis, Ph.D.
Author: hidden - assigned by the advisor
Date of registration: 10.12.2015
Date of assignment: 10.12.2015
Advisors: RNDr. Lukáš Beran, Ph.D.
Guidelines
Cílem projektu je systematické studium magnetooptické odezvy vybraných feromagnetických nanostruktur založených na materiálu La2/3Sr1/3MnO3 připravených ve spolupráci s univerzitou Paříž-Jih v Orsay na piezoelektrických vrstvách. Experimentální metodou bude magnetooptická spektroskopie, magnetometrie a mikroskopie. Student bude zkoumat magnetický stav feromagnetické vrstvy v závislosti na různých hodnotách přiloženého napětí. Z naměřených výsledků bude možno odhadnout vzjámenou magneto-elektrickou vazbu.
References
R. M. A. Azzam, N. M. Bashara, Ellipsometry and Polarized Light, North-Holland, Amsterdam / New York / Oxford 1977.
Š. Višňovský, Optics in Magnetic Multilayers and Nanostructures, CRC Taylor & Francis, Boca Raton 2006.
Vybraný soubor původních prací týkajících se tématu. K dispozici u vedoucího projektu.
Preliminary scope of work
Dynamické ovládání magnetického stavu látky je velmi důležité z hlediska aplikací ve spinové elektronice. Toto odvětví elektroniky používá jako nositele informace spin elektronu a ne jeho náboj. To umožňuje návrh a realizaci elektronických součástek s nižší energetickou spotřebou, vyšším výkonem a menšími rozměry. Jednou z takových součástek je magnetická paměť RAM. Její nespornou výhodou je i to, že neztratí uloženou informaci při odpojení napětí. Nový typ této paměti vyvíjí americká společnost IBM. K úspěšné realizaci konceptu je však nutné přepínat magnetický stav látky elektrickým polem. Toto přepínání může být realizováno pomocí magneto-elektrické vazby mezi feromagnetickou vrstvou a piezoelektrickou sub-vrstvou. Napětí přiložené na sub-vrstvu má za následek změnu v její krystalové struktuře a tím indukované pnutí na feromagnetickou vrstvu. Toto pnutí poté způsobí magnetické přepnutí. Fyzikální princip této magneto-elektrické vazby není do dnešní doby zcela objasněn.
 
Charles University | Information system of Charles University | http://www.cuni.cz/UKEN-329.html